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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IPD04N03LA G 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPD04N03LA G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 50A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5199pF @ 15V
功率_最大：115W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3
包裝：帶卷 (TR)

IPD04N03LA G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 50A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5199pF @ 15V
功率_最大：115W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3
包裝：剪切帶 (CT)

IPD04N03LA G供應(yīng)商

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